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英特尔芯片开发受阻10nm要等到2017OFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 13:39:46 阅读: 来源:捆绑器厂家

英特尔芯片开发受阻 10nm要等到2017 - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:半导体工艺进入1xnm节点之后,各大巨头都遭遇了严重的困难,尤其是Intel 14nm出现了前所未有的延迟,与计划进度严重脱节,至今只有寥寥两个产品线,今年下半年才会全面普及。 台积电16nm原本寄予厚望,2015年初就要快速量产,结果连续跳票,现在看最快也得年底了,甚至得2016年。 三星14nm相对还好一些,起步虽晚但是进步很快,据说良品率提高很快,又拉上Global Foundries做同盟,已经赢得了苹果、高通的芳心。 如果按照原先的Tick-Tock发展模式,后续进展顺利的话,Intel应该在2016年底推出10nm工艺新品,据说代号为 Cannonlake ,取代这两年的14nm Broadwell/Skylake,但情况极为不乐观。 Intel CEO柯再奇近日也公开谈到了10nm,但他没有给出好消息,而是说他们还在继续研究,尚未确立时间表。这就意味着2016年底推进到10nm的可能性已经基本为零了。 而对于台积电来说,日子也不好过。近来关于台积电16nm Fin FET工艺进展不顺的风言风语很多,比如说设备安装推迟到下半年,大规模量产可能得等明年了,迫使高通、苹果两大客户纷纷投靠三星14nm Fin FET。 在近日的投资者大会上,台积电董事长张忠谋也承认,2015年的Fin FET技术市场上,台积电将会输给三星,但在2017-2018年,台积电将会实现反超。 他同时披露说,已经有50多名客户利用台积电16nm Fin FET工艺完成了新品流片工作,大多数会在2015年第三季度投入量产,新工艺也将在第四季度贡献5-10%的收入。 这就等于承认,此前说的2015年中量产已经不可能,而从收入比例上看,所谓的第三季度量产也仅仅是个开始,真正成熟最快也得今年底,和此前的推测基本相符。 台积电甚至说已经有一位客户开始使用其16nmFinFET工艺生产芯片了,但具体是谁不肯说,而大多数客户都选择等待更好的16nmFinFET+。

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